当前位置:首页 > 19461688伟德国际 > > EQE/光子-电子转换测试 > LSD4雷射扫描缺陷图谱仪
产品分类
Product Category详细介绍
品牌 | Enlitech | 产地类别 | 进口 |
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应用领域 | 能源 | 价格区间 | 面议 |
测量模式 | 咨询光焱科技专家 |
●扫描光生电流的分布
●扫描光电压分布
●扫描开路电压和短路电流的分布
●分析表面污染
●分析短路区域的 分布
●识别和分析微裂纹区域
●分析少数载子扩散长度的分布(选用功能)
项目 | 参数说明。 |
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功能 | A。利用能量高于半导体带隙的波长激光束在半导体中产生电子空穴对,探索耗尽区对内部电流变化的影响,了解和分析各种缺陷分布,作为工艺改进的方向。 b.能够扫描样品表面光生电流的分布。 C。能够扫描样品表面光电压的分布。 d.能够扫描开路电压和短路电流的分布。 e.能够分析表面污染。 F。能够分析短路区域的分布。 G。能够识别和分析微裂纹区域。 H。能够分析少数载流子扩散长度的分布(可选)。 |
激励源 | 405 ±10nm 激光 520 ±10nm 激光 635 ±10nm 激光 830 ±10nm 激光 |
扫描区域 | ≧100mm×100mm |
激光光斑尺寸 | 接近TEM00模式点 |
测绘分辨率 | A。扫描分辨率 ≤ 50 µm b.扫描分辨率可通过软件设置 |
测绘时间 | <4分钟(100mm×100mm,分辨率50um) |
方面 | 60厘米*60厘米*100厘米 |
软件 | A。 LBIC 3D 可视化 b. 2D 横截面分析(电极纵横比) c.光电流响应分布分析(与长波长激光源结合) d.数据保存和导出功能 |
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